SSD Samsung 9100 PRO NVMe, 4TB, M.2, 13400 MB/s Escritura, 14800 MB/s Lectura, PCI Express 5.0

Detalles del producto

El SSD Samsung de 4TB NVMe PCIe 5.0 (modelo MZ-VAP4T0BW) ofrece un rendimiento excepcional con velocidades de lectura de hasta 14800 MB/s y velocidades de escritura de 13400 MB/s. Este dispositivo es compatible con NVM Express (NVMe) y cuenta con una interfaz PCI Express 5.0 con carriles de datos x4, lo que permite una transferencia de datos rápida y eficiente.

Diseñado para su uso en PC y computadoras portátiles, el SSD presenta un factor de forma M.2 y utiliza memoria V-NAND TLC. Su capacidad de 4 TB proporciona un amplio espacio de almacenamiento para aplicaciones y archivos. Además, el dispositivo soporta TRIM y cuenta con encriptación de hardware, garantizando la seguridad de los datos mediante algoritmos de 256-bit AES.

El rendimiento en operaciones aleatorias es notable, con 2200000 IOPS en lectura aleatoria (4KB) y 2600000 IOPS en escritura aleatoria (4KB). El tiempo medio entre fallos es de 1500000 horas, lo que asegura una alta fiabilidad. El SSD opera en un rango de temperatura de 0 a 70 °C y tiene un consumo promedio de energía de 9 W durante la lectura y 8.2 W durante la escritura.

Con un peso de solo 9 g y dimensiones de 80.2 mm de ancho, 22.1 mm de altura y 2.38 mm de profundidad, este SSD es compacto y ligero, ideal para integrarse en diversos sistemas. Además, cuenta con soporte S.M.A.R.T. y DevSlp (device sleep), lo que optimiza su rendimiento y eficiencia energética.

El producto se presenta en una caja y cuenta con un periodo de garantía de 5 años, lo que respalda su calidad y durabilidad. Este SSD es una opción excelente para quienes buscan un almacenamiento rápido y seguro en sus dispositivos.

Especificaciones

Peso y dimensiones
Altura
22.1 mm
Profundidad
2.38 mm
Peso
9 g
Ancho
80.2 mm
Detalles técnicos
Periodo de garantía
5 Año(s)
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Factor de forma
M.2
Interfaz
PCI Express 5.0
Golpes en funcionamiento
1500 G
Capacidad
4TB
Control de energía
Consumo promedio de energía (escritura)
8.2 W
Consumo promedio de energía (lectura)
9 W
Desempeño
Encriptación de hardware
Si
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Componente para
PC/computadora portátil
DevSlp (device sleep) support
Si
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Soporte TRIM
Si
Compatible con NVM Express (NVMe)
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Empaquetado
Tipo de embalaje
Caja

Acerca del Fabricante

Logotipo de la marca Samsung

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