Detalles del producto

El SSD Samsung 970 EVO Plus NVMe de 1TB, M.2, PCI Express 3.0 MZ-V7S1T0B/AM es un dispositivo que cuenta con soporte TRIM y encriptación de hardware. Utiliza memoria V-NAND MLC y tiene una calificación TBW de 600, lo que lo hace resistente a la temperatura. Con un tiempo medio entre fallos de 1500000 horas, este SSD ofrece algoritmos de seguridad compatibles con 256-bit AES. Con una profundidad de 2.38 mm y un peso de 8 g, tiene un consumo de energía en espera de 0.03 W y un consumo máximo de 9 W. Su factor de forma es M.2 2280 y su interfaz es PCI Express 3.0. Con una velocidad de lectura de 3500 MB/s y una velocidad de escritura de 3300 MB/s, este SSD es capaz de realizar escrituras y lecturas aleatorias de 550000 IOPS y 600000 IOPS respectivamente. Es compatible con NVM Express (NVMe) y cuenta con funciones de protección. Además, es apto para PC, soporta S.M.A.R.T. y tiene una versión NVMe de 3.0. Con dimensiones de 80.2 mm de ancho y 22.1 mm de altura, puede operar en un intervalo de temperatura de 0 a 70 °C. En funcionamiento, puede resistir golpes de hasta 1500 G, lo que lo convierte en una opción confiable para tus necesidades de almacenamiento de datos.

Especificaciones

Peso y dimensiones
Altura
22.1 mm
Profundidad
2.38 mm
Peso
8 g
Ancho
80.2 mm
Detalles técnicos
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Factor de forma
M.2
Interfaz
PCI Express 3.0
Golpes en funcionamiento
1500 G
Capacidad
1000 GB
Control de energía
Consumo de energía (espera)
0.03 W
Consumo de energía (max)
9 W
Consumo de energía (promedio)
6 W
Diseño
Funciones de protección
Resistente a la temperatura
Desempeño
Encriptación de hardware
Si
Lectura aleatoria (4KB)
600000 IOPS
Componente para
PC
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Tipo de controlador
Samsung Phoenix
Soporte TRIM
Si
Compatible con NVM Express (NVMe)
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Escritura aleatoria (4KB)
550000 IOPS
Tipo de memoria
V-NAND MLC
calificación TBW
600
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Versión NVM Express (NVMe)
3.0
Disco duro
Velocidad de escritura
3300 MB/s
Velocidad de lectura
3500 MB/s

Acerca del Fabricante