SSD Samsung 990 EVO NVMe, 1TB, M.2, 4200 MB/s Escritura, 5000 MB/s Lectura, PCI Express 4.0

Detalles del producto

El producto es un SSD M.2 con una capacidad de 1 TB, diseñado para ofrecer un alto rendimiento y eficiencia. Su interfaz PCI Express 4.0 y la versión NVM Express 2.0 garantizan velocidades de lectura de hasta 5000 MB/s y velocidades de escritura de 4200 MB/s, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones que requieren un acceso rápido a los datos.

El tamaño de la unidad es de 2280 (22 x 80 mm) y su factor de forma es M.2, lo que permite una fácil integración en una variedad de sistemas. Este SSD es compatible con NVM Express (NVMe) y soporta el comando TRIM, lo que optimiza el rendimiento a lo largo del tiempo. Además, cuenta con encriptación de hardware, asegurando la protección de los datos mediante algoritmos de seguridad como 256-bit AES y TCG Opal 2.0.

El consumo de energía durante la lectura es de 4.9 W y durante la escritura es de 4.5 W, lo que refleja su eficiencia energética. La calificación TBW es de 600, lo que indica la durabilidad del producto. Este componente es universal y está diseñado para cumplir con los estándares de la Comisión Federal de Comunicaciones (FCC), RoHS y UKCA.

El periodo de garantía es de 5 años, lo que proporciona confianza en la calidad y fiabilidad del producto. Además, el soporte S.M.A.R.T. permite el monitoreo del estado de la unidad, contribuyendo a la prevención de fallos. Con carriles de datos de interfaz PCI Express x4, este SSD ofrece un rendimiento superior en comparación con las unidades tradicionales.

Especificaciones

Detalles técnicos
Periodo de garantía
5 Año(s)
Factor de forma
M.2
Interfaz
PCI Express 4.0
Capacidad
1TB
Otras características
Certificados de cumplimiento
Comisión Federal de Comunicaciones (FCC), RoHS, UKCA
Control de energía
Consumo de energía (lectura)
4.9 W
Consumo de energía (escritura)
4.5 W
Desempeño
Encriptación de hardware
Si
Componente para
Universal
Soporte TRIM
Si
Compatible con NVM Express (NVMe)
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
calificación TBW
600
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES, TCG Opal 2.0
Versión NVM Express (NVMe)
2.0
Disco duro
Velocidad de escritura
4200 MB/s
Velocidad de lectura
5000 MB/s
Características
Revisión PCI Express CEM
4.0
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)

Acerca del Fabricante

Logotipo de la marca Samsung

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