Especificaciones
Memoria
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Latencia CAS
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CL9
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Placa de plomo
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Oro
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Diseño de memoria (módulos x tamaño)
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1 x 4GB
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Voltaje de memoria
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1.5 V
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Configuración de módulos
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512M x 64
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Buffered memory type
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Unregistered (unbuffered)
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Tipo de memoria interna
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DDR3
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Capacidad de memoria RAM
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4GB
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Tipo de memoria
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DDR3
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Velocidad de memoria del reloj
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1333MHz
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ECC
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No
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Ancho de datos
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64-bit
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Otras características
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Disposición de memoria
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1 x 4096 MB
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Organización de los chips
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X8
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Velocidad del reloj de bus
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1333 MHz
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Factor de forma
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204-pin SO-DIMM
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Indicación de error
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No-ECC
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