Memoria RAM Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4, 3200MHz, 8GB, Non-ECC, SO-DIMM

Detalles del producto

Este módulo de memoria interna tiene una capacidad de 8 GB y utiliza tecnología DDR4. Opera a una velocidad de reloj de 3200 MHz y tiene una configuración de módulos de 1024M x 16. El voltaje de memoria es de 1.2 V. El diseño de memoria es de 1 módulo de 8 GB con un factor de forma de 260-pin SO-DIMM. Este componente está destinado para ser utilizado en computadoras portátiles.

Especificaciones

Memoria
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8GB
Componente para
Computadora portátil
Voltaje de memoria
1.2 V
Configuración de módulos
1024M x 16
Tipo de memoria interna
DDR4
Capacidad de memoria RAM
8GB
Velocidad de memoria del reloj
3200MHz
Otras características
Factor de forma
260-pin SO-DIMM

Acerca del Fabricante

Logotipo de la marca Samsung

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