Memoria RAM Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4, 3200MHz, 8GB, Non-ECC, SO-DIMM

Detalles del producto

Este módulo de memoria interna tiene una capacidad de 8 GB y utiliza tecnología DDR4. Opera a una velocidad de reloj de 3200 MHz y tiene una configuración de módulos de 1024M x 16. El voltaje de memoria es de 1.2 V. El diseño de memoria es de 1 módulo de 8 GB con un factor de forma de 260-pin SO-DIMM. Este componente está destinado para ser utilizado en computadoras portátiles.

Especificaciones

Memoria
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8GB
Componente para
Computadora portátil
Voltaje de memoria
1.2 V
Configuración de módulos
1024M x 16
Tipo de memoria interna
DDR4
Capacidad de memoria RAM
8GB
Velocidad de memoria del reloj
3200MHz
Otras características
Factor de forma
260-pin SO-DIMM

Acerca del Fabricante

Logotipo de la marca Samsung

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La marca cuenta con diversas certificaciones que respaldan su compromiso con la excelencia, habiendo sido galardonada con premios internacionales por sus avances en tecnología de visualización y comunicación. Los productos, como las Pantallas LED y Tablet-, están diseñados para ofrecer la más alta calidad y eficiencia, manteniéndose a la vanguardia de las tendencias del mercado.


Con alianzas estratégicas en diversas industrias, la marca asegura que sus productos se integren perfectamente en cualquier contexto, siendo una elección confiable para los socios comerciales que buscan tecnología de punta.