Memoria RAM Samsung M471B1G73DB0-YK0 DDR3, 1600MHz, 8GB, Non-ECC, CL11, SO-DIMM, 1.35V

Detalles del producto

Especificaciones

Memoria
Latencia CAS
CL11
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8GB
Componente para
Computadora portátil
Voltaje de memoria
1.35 V
Configuración de módulos
512M x 8
Buffered memory type
Unregistered (unbuffered)
Tipo de memoria interna
DDR3
Capacidad de memoria RAM
8GB
Clasificación de memoria
2
Velocidad de memoria del reloj
1600MHz
ECC
No
Otras características
Factor de forma
204-pin SO-DIMM
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C

Acerca del Fabricante