Memoria RAM Samsung M471B5273DH0CH9 DDR3, 1333MHz, 4GB, Non-ECC, CL9, SO-DIMM

La memoria RAM DDR3 de 4 GB está diseñada específicamente para computadoras portátiles. Este módulo de memoria presenta un diseño de 1 x 4GB y cuenta con un factor de forma SO-DIMM de 204 pines. La velocidad de la memoria del reloj es de 1333 MHz, lo que permite un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones.

El voltaje de operación de esta memoria es de 1.5 V, lo que la hace compatible con una amplia gama de sistemas. No incluye ECC (Error-Correcting Code), lo que la convierte en una opción adecuada para tareas que no requieren la corrección de errores. Además, el tipo de memoria es unbuffered (no registrado), lo que contribuye a su rendimiento en entornos de uso general.

La latencia CAS es de 9, lo que indica un tiempo de respuesta eficiente para las operaciones de lectura y escritura. La organización de los chips es de 512Mx64, lo que optimiza la capacidad de almacenamiento y el acceso a los datos.

Este módulo de memoria RAM es ideal para mejorar el rendimiento de computadoras portátiles, proporcionando una solución efectiva para quienes buscan aumentar la capacidad de memoria de sus dispositivos.