Especificaciones
Memoria
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Latencia CAS
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CL3
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Placa de plomo
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Oro
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Diseño de memoria (módulos x tamaño)
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1 x 512MB
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Voltaje de memoria
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2.6 V
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Tiempo activo en fila
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40 ns
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Buffered memory type
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Unregistered (unbuffered)
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Tipo de memoria interna
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DDR
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Capacidad de memoria RAM
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512MB
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Tipo de memoria
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DDR
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Velocidad de memoria del reloj
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400MHz
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ECC
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No
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Ancho de datos
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64-bit
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Perfil SPD
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No
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Tiempo de ciclo de fila
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55 ns
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Tiempo de actualización de ciclo de fila
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70 ns
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Otras características
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Organización de los chips
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X8
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Factor de forma
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184-pin DIMM
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