Memoria RAM Samsung DDR3, 1866MHz, 8GB, ECC, CL13

Detalles del producto

Especificaciones

Peso y dimensiones
Altura
30 mm
Profundidad
4 mm
Ancho
133.3 mm
Detalles técnicos
Doesn't contain
Halógeno
Sustainability certificates
RoHS
Memoria
Latencia CAS
CL13
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8GB
Componente para
PC/servidor
Voltaje de memoria
1.5 V
Configuración de módulos
1024M x 72
Buffered memory type
Registered (buffered)
Tipo de memoria interna
DDR3
Capacidad de memoria RAM
8GB
Clasificación de memoria
1
Velocidad de memoria del reloj
1866MHz
ECC
Si
Tiempo de ciclo de fila
13 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
13 ns
Otras características
Factor de forma
240-pin DIMM
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Características
AMD EXPO (Extended Profiles for Overclocking)
No disponible

Acerca del Fabricante