Memoria RAM Samsung M378B5173EB0-YK0 DDR3, 1600MHz, 4GB, CL11
Detalles del producto
Especificaciones
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Memoria
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Latencia CAS
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CL11
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Diseño de memoria (módulos x tamaño)
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1 x 4GB
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Componente para
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PC/servidor
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Voltaje de memoria
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1.35 V
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Buffered memory type
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Unregistered (unbuffered)
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Tipo de memoria interna
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DDR3
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Capacidad de memoria RAM
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4GB
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Clasificación de memoria
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1
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Velocidad de memoria del reloj
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1600MHz
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Otras características
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Factor de forma
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240-pin DIMM
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Diseño
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Libre de halógenos
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Si
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Características
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AMD EXPO (Extended Profiles for Overclocking)
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No disponible
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Acerca del Fabricante
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