Memoria RAM Synology D4NESO26664G DDR4, 2666MHz, 4GB, Non-ECC, CL19

La Memoria RAM Synology DDR4 de 4GB y 2666MHz es un componente esencial para mejorar el rendimiento de sistemas informáticos. Este módulo de memoria opera a un voltaje de 1.2 V, lo que contribuye a una mayor eficiencia energética. Con una capacidad de 4 GB, es ideal para aplicaciones que requieren un rendimiento sólido sin la necesidad de una memoria excesiva.

Fabricada en Taiwán, esta memoria RAM utiliza un tipo de memoria interna DDR4, que es conocida por su alta velocidad y eficiencia. La velocidad de la memoria del reloj es de 2666MHz, lo que permite un acceso rápido a los datos y una mejora en la fluidez del sistema. Este módulo es de tipo unbuffered (no registrado), lo que significa que no cuenta con un buffer adicional, lo que puede ser beneficioso en ciertas configuraciones de hardware.

El diseño de la memoria consiste en un solo módulo de 4GB, con un factor de forma de 260-pin SO-DIMM, lo que la hace compatible con una amplia gama de dispositivos. La latencia CAS es CL19, lo que indica el tiempo que tarda la memoria en responder a una solicitud de datos, un aspecto importante para el rendimiento general del sistema.

En resumen, la Memoria RAM Synology DDR4 4GB 2666MHz Non-ECC D4NESO26664G es una opción confiable y eficiente para quienes buscan mejorar la capacidad de respuesta y el rendimiento de sus sistemas informáticos.