Detalles del producto

Protección mejorada de pérdida de alimentación
La Protección mejorada de pérdida de alimentación prepara la SSD para una pérdida de energía del sistema inesperada minimizando los datos en transición en los búferes temporales y utiliza la capacitancia de protección de pérdida de alimentación incorporada para proporcionar la energía suficiente para que el firmware de la SSD mueva los datos desde el búfer de transferencia y desde otros búferes temporales a la NAND, a fin de proteger los datos del usuario y el sistema.

Especificaciones

Peso y dimensiones
Altura
9.5 mm
Peso
88 g
Detalles técnicos
Segmento de mercado
MBL
Consumo de energía del disco SSD (activo)
150 mw (MobileMark 2007 Workload), 3.0 W (64K Sequential Write)
Fecha de lanzamiento
Q1'11
Escritura aleatoria (rango de 8GB)
21000 IOPS
Estado
Discontinued
Lectura secuencial
270 MB/s
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Vibración operativa
2.17 G
Consumo de energía del disco SSD (inactivo)
100 mw (DIPM), .7 W (Non-DIPM)
Factor de forma
2.5"
Interfaz
Serial ATA
Componentes de disco SSD
Intel NAND Flash Memory Multi-Level Cell (MLC) Technology
Golpes en funcionamiento
1500 G
Lectura aleatoria (rango de 8GB)
39000 IOPS
Capacidad
160 GB
Capacidad de disco
160 GB
Otras características
Tecnología de conectividad
Alámbrico
Interno
Si
Último cambio
63903513
Uncorrectable Bit Error Rate (UBER)
<1 sector per 10^16 bits read
Litografía del procesador
25 nm
Control de energía
Consumo de energía (inactivo)
0.7 W
Consumo de energía (escritura)
3 W
Diseño
Familia de producto
SSD para consumidores descatalogado
Color del producto
Plata
Nombre en clave de producto
Postville Refresh
Serie de producto
Intel 320
Desempeño
Escritura aleatoria (rango 100%)
600 IOPS
Lectura aleatoria (4KB)
39000 IOPS
Velocidad de transferencia de datos
3 Gbit/s
Tiempo medio entre fallos
1200000 h
Lectura aleatoria (rango 100%)
39000 IOPS
Latencia (de escritura)
90 µs
SSD ARK ID
56565
Escritura aleatoria (4KB)
21000 IOPS
Tipo de memoria
MLC
Tecnología mejorada de protección frente a pérdidas de datos por fallos eléctricos
Si
Latencia (de lectura)
75 µs
Litografía
25 nm
Escritura secuencial
165 MB/s
Disco duro
Velocidad de escritura
165 MB/s
Velocidad de lectura
270 MB/s

Acerca del Fabricante