La memoria RAM Kingston DDR4 2666MHz 8GB ECC CL19 SO-DIMM KTL-TN426E/8G es un componente de alta calidad diseñado para mejorar el rendimiento y la velocidad de las computadoras portátiles. Con una capacidad interna de 8 GB, esta memoria ofrece suficiente espacio para almacenar datos importantes y ejecutar múltiples aplicaciones simultáneamente sin comprometer su eficiencia.

El voltaje de memoria requerido por este dispositivo es bajo, con solo 1.2 V, lo que ayuda a reducir el consumo energético del equipo en general. Además, cuenta con tecnología ECC (Error Correction Code) que permite detectar y corregir errores en los datos transmitidos entre la CPU y la memoria RAM.

Este módulo tiene un diseño compacto formado por un único módulo de tamaño estándar: 260-pin SO-DIMM. Es compatible con sistemas operativos Windows y Mac OS X e incorpora una velocidad de reloj rápida de hasta 2666 MHz para garantizar tiempos rápidos de respuesta al usuario.

En cuanto a latencia CAS (Column Address Strobe), se encuentra en nivel CL19, lo cual indica que hay cierto retardo antes del acceso completo a los datos solicitados pero aún así proporcionando buen desempeño durante su uso cotidiano.

Por último, cabe destacar que esta memoria utiliza buffered memory type Unregistered (unbuffered), lo cual significa que no requiere ningún tipo especializado o adicional como registro o bufferización externa; esto hace más fácil su instalación dentro del sistema informático existente.

En resumen, si buscas aumentar la capacidad y rapidez tu laptop sin sacrificar estabilidad ni confiabilidad entonces considera agregarle a ella una Memoria RAM Kingston DDR4 2666MHz 8GB ECC CL19 SO-DIMM KTL-TN426E/8G.